東芝推出面向更高效工業設備的第三代SiC MOSFET

                  2022-09-13 09:33:10 來源:EETOP

                  東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻,可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品,已于今日開始出貨。

                   1.jpg                                        

                  新產品的單位面積導通電阻(RDS(ON)A)下降了大約43%[3],從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大約80%[4],這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約20%[5],同時降低導通電阻和開關損耗。因此,新產品有助于提高設備效率。

                   

                  東芝將進一步壯大其功率器件產品線,強化生產設施,并通過提供易于使用的高性能功率器件,努力實現碳中和經濟。

                   

                  ?  應用:

                  -    開關電源(服務器、數據中心、通信設備等)

                  -    電動汽車充電站

                  -    光伏變頻器

                  -    不間斷電源(UPS)

                   

                  ?  特性:

                  -    單位面積導通電阻低(RDS(ON)A)

                  -    低漏源導通電阻×柵漏電荷(RDS(ON)×Qgd)

                  -    低二極管正向電壓:VDSF=-1.35V(典型值)@VGS=-5V

                   

                  ?  主要規格:

                  (除非另有說明,Ta=25℃)

                  器件型號

                  封裝

                  絕對最大額定值

                  電氣特性

                  庫存查詢與購買

                  漏極-源極電壓

                  VDSS(V)

                  柵極-源極電壓

                  VGSS(V)

                  漏極電流

                  (DC)

                  ID(A)

                  漏極-源極導通電阻

                  RDS(ON)

                  典型值(mΩ)

                  柵極閾值電壓

                  Vth(V)

                  總柵極電荷

                  Qg

                  典型值(nC)

                  柵極-漏極電荷

                  Qgd

                  典型值(nC)

                  輸入電容

                  Ciss

                  典型值(pF)

                  二極管正向電壓

                  VDSF典型值

                  (V)

                  @Tc=25℃

                  @VGS=18V

                  @VDS=10V

                  @VDS=400V、

                  F=100kHz

                  @VGS=-5V

                  TW015N120C

                  TO-247

                  1200

                  -10至25

                  100

                  15

                  3.0至5.0

                  158

                  23

                  6000

                  -1.35

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                  TW030N120C

                  60

                  30

                  82

                  13

                  2925

                  在線購買

                  TW045N120C

                  40

                  45

                  57

                  8.9

                  1969

                  在線購買

                  TW060N120C

                  36

                  60

                  46

                  7.8

                  1530

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                  TW140N120C

                  20

                  140

                  24

                  4.2

                  691

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                  TW015N65C

                  650

                  100

                  15

                  128

                  19

                  4850

                  在線購買

                  TW027N65C

                  58

                  27

                  65

                  10

                  2288

                  在線購買

                  TW048N65C

                  40

                  48

                  41

                  6.2

                  1362

                  在線購買

                  TW083N65C

                  30

                  83

                  28

                  3.9

                  873

                  在線購買

                  TW107N65C

                  20

                  107

                  21

                  2.3

                  600

                  在線購買

                   

                  注:

                  [1] 通過采用為第二代SiC MOSFET開發的內置肖特基勢壘二極管的架構,東芝開發出一種可降低單位面積導通電阻(RDS(ON)A),同時降低JFET區域反饋電容的器件架構。

                  [2] MOSFET:金屬氧化物半導體場效應晶體管。

                  [3] 當第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被設為1時,與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。

                  [4] 當第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被設為1時,與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。

                  [5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比較。東芝調研。


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